Revisió del 15:03, 24 gen 2014 modifica Langtoolbot (discussió \| contribucions) Bots 1.187.114 edits m Corregit: ample de banda -> amplada de banda ← Edició anterior		Revisió del 20:04, 18 feb 2014 modifica desfés Yuanga (discussió \| contribucions) Administradors 100.304 edits arsenur, no arseniur Edició següent →
Línia 35: == Generació == Les microones poden ser generades de diverses maneres, generalment dividides en dues categories: amb dispositius d'estat sòlid i amb dispositius basats en [[tub de buit\|tubs de buit]]. Els dispositius d'estat sòlid per a microones es basen en [[semiconductor]]s de [[silici]] o [[~~arseniur~~arsenur de gali]], i inclouen [[transistor d'efecte camp\|transistors d'efecte camp]] (FET, ''field effect transistor''), [[transistor d'unió bipolar\|transistors d'unió bipolar]] (BJT, ''bipolar junction transistor''), [[diode Gunn\|diodes Gunn]] i [[diode IMPATT\|diodes IMPATT]]. S'han desenvolupat versions especialitzades de transistors estàndard per a altes velocitats, que són les utilitzades habitualment en aplicacions de microones. Els dispositius basats en tubs de buit operen tenint en compte el moviment balístic d'un electró en el buit sota la influència de camps elèctrics o magnètics, entre els quals s'inclouen el [[magnetró]], el [[klystron]], els [[tub d'ones viatgeres\|tubs d'ones viatgeres]] (TWT, ''travelling wave tube'') i el [[girotró]].

Microones: diferència entre les revisions