Nanotecnologia: diferència entre les revisions

Contingut suprimit Contingut afegit
m Corregit: essencialment multidisciplinar, i > essencialment multidisciplinari, i
m Corregit: com [[sistemes > com a [[sistemes
Línia 83:
Aquests enfocaments procuren crear mecanismes més petits utilitzant-ne de més grans per dirigir el seu muntatge.
* Moltes tecnologies que són descendents dels mètodes convencionals de [[fabricació de semiconductors]] de silici d'estat sòlid per fabricar [[microprocessador]]s ara són capaços de crear característiques més petites que 100 nm, i per tant cauen en la definició de nanotecnologia. Els discs durs basats en [[magnetoresistència gegant]] ja en el mercat encaixen amb aquesta descripció,<ref>{{cite web|url = http://www.nano.gov/html/facts/appsprod.html|title = Applications/Products|accessdate=2007-10-19 |publisher = National Nanotechnology Initiative}}</ref> com també les tècniques de [[deposició de capes atòmica]] (ALD). [[Peter Grünberg]] i [[Albert Fert]] van rebre el [[Premi Nobel de física]] pel seu descobriment de la magnetoresistència gegant i les seves contribucions en el camp de la [[espintrònica]] el [[2007]].<ref>{{cite web|url = http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2007/index.html|title = The Nobel Prize in Physics 2007|accessdate = 2007-10-19|publisher = Nobelprize.org}}</ref>
* Les tècniques d'estat sòlid també es poden utilitzar per crear mecanismes coneguts com a [[sistemes nanoelectromecanics]] o NEMS, que estan relacionats amb els [[sistemes microelectromecànics]] o MEMS.
* Les puntes dels [[microscopi de força atòmica|microscopis de força atòmica]] es poden fer servir com una "capçal d'escriptura" a nanoescala per dipositar un producte químic en una superfície amb un patró desitjat en un procés anomenat [[dip pen nanolithography]]. Això encaixa en el subcamp més gran de la [[nanolitografia]].
* Els [[doll de ions focalitzat]] poden eliminar material directament, o fins i tot dipositar material quan s'apliquen alhora gasos precursors adequats. Per exemple, aquesta tècnica es fa servir rutinàriament per crear seccions per davall de 100 nm de material per anàlisi en [[microscopi electrònic de transmissió]].