Transistor bipolar: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
Es desfà la revisió 12323401 de 79.147.190.78 (Discussió) les variants lingüístiques són correctes. |
m Corregit: fina per a què la > fina perquè la |
||
Línia 2:
Un '''transistor bipolar''' (''BJT'', de l'anglès ''bipolar junction transistor'') és un tipus de [[transistor]], un dispositiu que pot funcionar com amplificador o conmutador fet amb [[semiconductor]]s [[Dopatge (semiconductor)|dopats]]. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la ''base'' del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat ''emissor'', es pot variar el [[Corrent elèctric|corrent]] que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat ''col·lector'', fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent.
Conceptualment, hom pot entendre un transistor bipolar com a dos [[díode]]s col·locats de forma oposada. En estat normal, la unió emissor-base està polaritzada en directa i la unió base-col·lector està polaritzada en inversa. En un transitor de tipus NPN, per exemple, els [[electrons]] de l'emissor s'escampen (o es difonen) a la base. Aquests electrons en la base estan en minoria (hi ha una gran quantitat de [[Forat (física)|forats electrònics]]) amb els que recombinar-se. La base sempre es fa prou fina
[[Fitxer:npn-structure.png|thumbnail|dreta|Estructura i us d'un transistor NPN]]
| |||