Diferència entre revisions de la pàgina «Memòria flaix»

correcció (cas-cat)
(Robot estandarditza i catalanitza referències, catalanitza dates i fa altres canvis menors)
(correcció (cas-cat))
*Túnel fowler-Nordhiem
 
Aquest transistor es caracteritza per disposar de dos portes diferents, una fixa equivalent a la dels transistors MOS, i una altra flotant. Aquesta porta flotant no està conectadaconnectada sinó que es troba rodejada d’un material aïllant(òxid) de molt alta impedància. Per permetre la reprogramació del transistor, aquesta porta flotant es situa a molt poca distància del substrat del transistor.
 
Per programar la cel·la, el programador aplica una tensió elevada a la porta fixe de totes aquelles cel·les que han d’emmagatzemar un ‘0’. Aquesta tensió permet als electrons que es troben en el substrat del transistor, travessar l’aïllant a través d’un “túnel” i arribar fins a la porta flotant. Aquest afecte és conegut com a Fowler-Nordhiem Tunneling.