Transistor bipolar: diferència entre les revisions

[[Fitxer:Icon of Bipolar transistor.png|framed|dreta|Símbol per als BJT de tipus PNP i NPN.]]

Un '''transistor bipolar''' (''BJT'', de l'anglès ''bipolar junction transistor'') és un tipus de [[transistor]], un dispositiu que pot funcionar com amplificador o commutador fet amb [[semiconductor]]s [[Dopatge (semiconductor)|dopats]]. El BJT està compost per diverses capes de material dopat, ja siga NPN o PNP. El centre de la secció s'anomena la ''base'' del transistor. Variant el corrent entre la base i un terminal anomenat ''emissor'', es pot variar el [[Corrent elèctric|corrent]] que flueix entre l'emissor i el tercer connector anomenat ''col·lector'', fent que el senyal aparegui amplificat en eixe terminal. Els BJTs poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La seua funció habitual és la de servir com a amplificadors de corrent.<ref>{{Ref-publicació|article=Bipolar Transistor Tutorial, The BJT Transistor|publicació=Basic Electronics Tutorials|llengua=en|url=http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_1.html|data=2013-09-01}}</ref>