Diferència entre revisions de la pàgina «Estructura MOS»

cap resum d'edició
{{FR}}
[[Fitxer:Estructura-MOS.svg|miniatura|Estructura Metall-òxid-semiconductor construïda amb un substrat de silici tipus p (estructura PMOS)|alt=|250x250px]]
L{{'}}'''estructura MOS''' (''Metal-Oxide-Semiconductor'') consisteix en un [[condensador]], en què una de les armadures és metàl·lica, anomenada "porta", el [[dielèctric]] es forma amb un òxid del semiconductor del substrat, i l'altra armadura és un [[semiconductor]], que anomenarem substrat. L'estructura MOS és de gran importància dins dels dispositius d'estat sòlid, ja que forma els transistors [[MOSFET]], base de l'[[electrònica digital]] actual. Però, a més, és el pilar fonamental dels dispositius de càrrega acoblada, [[CCD]], tan comuns en fotografia. Així mateix, funcionant com condensador és responsable d'emmagatzemar la càrrega corresponent als bits de les [[DRAM|memòries dinàmiques]]. També s'utilitzen com condensadors de precisió en electrònica analògica i microones.<ref name="ChikuniKhan2008">{{cite book|author1=Edward Chikuni|author2=Mohammed Toriq Khan|title=Concise Higher Electrical Engineering|url=https://books.google.com/books?id=exMvD-CdtcsC&pg=PA504|date=March 2008|publisher=Juta and Company Ltd|isbn=978-0-7021-7723-1|pages=504–}}</ref>
 
== Capacitat MOS ==
146.031

modificacions