Memòria flaix: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m llengua=anglès |
m neteja i estandardització de codi |
||
Línia 1:
La '''memòria flaix''' és un medi d’emmagatzematge no volàtil que està desenvolupada a partir de la memòria [[EEPROM]], van sorgir per proporcionar una major funcionalitat i flexibilitat a l’usuari i millorar l’elevat cost de les memòries EEPROM i la poca capacitat.
Les memòries flaix van aprofitar les capacitats d'esborrat i programació elèctrica de les memòries EEPROM i es va optar per eliminar la possibilitat d'esborrar selectivament els bits de la memòria i es va optar en permetre únicament esborrar els blocs complets de mida fixa (normalment entre 16-128 KB).
Es va poder reduir el cost de fabricació i l'augment de la capacitat, ja que en eliminar-se l'esborrament selectiu que tenien les EEPROM per el d'ara en blocs, les cel·les de memòria ja no disposen de 2 transistors sinó que solament del tansistor de porta flotant i per tant es redueix la mida de la cel·la de memòria fins a 2 o 3 vegades la mida de la cel·la EEPROM i per tant en la mateixa àrea de [[silici]] es pot emmagatzemar molta més informació.<ref>{{Ref-publicació|article=What is flash memory ? - Definition from WhatIs.com|publicació=SearchStorage|llengua=anglès|url=http://searchstorage.techtarget.com/definition/flash-memory}}</ref>
Línia 59:
L'esborrat s’ha d’efectuar per blocs(posicions consecutives de memòria) i provoca que totes les cel·les de memòria d'aquell bloc emmagatzemin un ‘1’.
Per lo tant l’accès a les dades en lectura és molt ràpid, però en l’escriptura és bastant més lent.
Les aplicacions més típiques d'aquestes memòries solen consistir a emmagatzemar el codi d’inicialització i BIOS de computadors, PDAs i telèfons mòbils.
Línia 68:
A causa de la connexió en sèrie i del fet que s’eliminen els contactes de les línies de paraula, les memòries NAND flaix ocupen sobre un 60% de l’àrea de silici necessària per implementar una memòria de la mateixa capacitat utilitzant una NOR flaix.
Per reduir encara més aquesta àrea, es va optar per eliminar el circuit del bus de dades i de direcció externs, els dispositius externs han de comunicar-se amb la memòria NAND flaix a través d’ordres serie i registres de dades que internament obtindran la dada requerida.
Aquesta opció de disseny impossibilita l’accés aleatori a la informació, per el que la lectura i programació es realitza per pàgines(parts d’un bloc) i l'esborrat es realitza per blocs.
| |||