Transistor d'efecte camp: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m neteja i estandardització de codi |
mCap resum de modificació |
||
Línia 11:
* El [[MESFET]] (''Metal-Semiconductor Field Effect Transistor'') usa una [[barrera Schottky]]
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), també anomenat HFET (''heterostructure FET''), la banda de material dopada amb "buits" forma l'aïllant.
* En el [[FinFET]] (acrònim de ''fin field-effect transistor'') és un tipus de transistor d'efecte de camp en tecnologia 3D.
La característica dels [[TFT]] que els distingeix, és que fan ús del [[silici amorf]] o del [[silici policristal·lí]].
| |||