Arsenur de gal·li: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
m Corregint castellanismes |
Cap resum de modificació |
||
Línia 1:
{{cal infotaula}}
{|Class = "toccolours" border = "1" style = "float: right; clear: right; margin: 0 0 1em 1em; border-collapse: collapse;"
!{{Chembox header}}|Arseniür de gali
Linha 75 ⟶ 76:
La massa efectiva de l'[[càrrega elèctrica]] del GaAs tipus N dopat és menor que en el [[silici]] del mateix tipus, de manera que els [[Electron|electrons]] En GaAs s'acceleren a majors velocitats, trigant menys en creuar el canal del transistor. Això és molt útil en altes freqüències, ja que s'arribarà a una freqüència màxima d'operació més gran.
Aquesta possibilitat i necessitat de treballar amb circuits que permetin actuar a majors freqüències té el seu origen en les [[Indústria de defensa|indústries de defensa]] i [[Indústria aeroespacial|espacial]], en l'ús de [[radar]] és , [[Comunicació segura|comunicacions segures]] i [[sensor]] és. Després del desenvolupament per part de programes federals, aviat el GaAs es va estendre als nous mercats comercials, com [[Xarxa d'àrea local|xarxes d'àrea local]] [[sense fil|sense fils]] (WLAN), sistemes de comunicació personal (
A més, això ha afectat la filosofia de fabricació de semiconductors, emprant-se ara mètodes estadístics per a controlar la uniformitat i assegurar la millor qualitat possible sense afectar greument el cost. Tot això va possibilitar també la creació de noves tècniques de transmissió [[digital]] a més gran potència de [[radiofreqüència]] i
=== GaAs vs. Si i Ge ===
Les propietats físiques i químiques del GaAs compliquen el seu ús en la fabricació de [[transistor]] és com que és un [[Compost químic|compost binari]] amb una [[conductivitat tèrmica]] menor i un major coeficient d'expansió tèrmica (CET o CTE), mentre que el silici i el germani són
▲Les propietats físiques i químiques del GaAs compliquen el seu ús en la fabricació de [[transistor]] és com que és un [[Compost químic|compost binari]] amb una [[conductivitat tèrmica]] menor i un major coeficient d'expansió tèrmica (CET o CTE), mentre que el silici i el germani són semiconductors elementals. A més, els errors en dispositius basats en GaAs són més difícils d'entendre que aquells en el silici i poden resultar més cars, en ser el seu ús molt més recent.
Però comparant la relació qualitat i preu, el valor afegit del GaAs compensa els costos de fabricació, a més que els mercats indicats estan en continu creixement, que demanen aquesta tecnologia que permeti majors freqüències, cosa que ajudarà a abaratir costos.
Línia 89:
* [[Optoelectrònica]]
* [[Transistor d'efecte camp]] (FET)
{{ORDENA:Arseniur De Gali}}
| |||