NVRAM: diferència entre les revisions
Contingut suprimit Contingut afegit
Cap resum de modificació |
|||
Línia 1:
{{MM|2L = si|FR = si}}
[[Fitxer: DS1225.JPG|thumb|Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor.]]▼
La ''' memòria d'accés aleatori no volàtil ''', referida de vegades per les seves [[sigla|sigles]] en [[Idioma anglès|anglès]] ''' NVRAM ''' ('' Non-volatile random access memory '') és un tipus de [[memòria d'accés aleatori]] que, com el nom indica, no perd la informació emmagatzemada en tallar l'alimentació elèctrica.
Linha 9 ⟶ 10:
Per obtenir una memòria d'escriptura ràpida i d'un nombre il·limitat de cicles d'escriptura hi ha dues estratègies diferents:
▲[[Fitxer: DS1225.JPG|thumb|Memòria NVRAM de Dallas Semiconductor.]]
La primera, proposada per Dallas Semiconductor, consisteix en un circuit híbrid que integra una RAM CMOS de baix consum, una pila de liti i un controlador, que consisteix en un monitor de tensió i la lògica necessària per inhibir l'escriptura i mantenir els busos en alta impedància quan la tensió està fora d'especificacions. Aquesta solució aprofita els avantatges de les [[CMOS-RAM]]: velocitat i baix consum, i la llarga durada de les [[pila de liti|piles de liti]] (uns deu anys). Altres models inclouen rellotge en temps real i altres prestacions.
| |||