Resistive random-access memory

Memòria RAM no volàtil

RAM resistiva (resistive random-access memory, RRAM o ReRAM) és una mena de memòria de computadora no volàtil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la resistència elèctrica d'un material dielèctric d'estat sòlid que també s'anomena memristència. Aquesta tecnologia s'assembla a CBRAM (RAM de pont conductor) i PCM (memòria de canvi de fase).[1][2][3]

Fig.1 Corba d'un material amb dielèctric anomenat memristor

FuncionamentModifica

Normalment, un material dielèctric no condueix el corrent elèctric. De fet, les substàncies dielèctriques s'empren per a construir condensadors i evitar el corrent elèctric tot carregant-se en dos pols oposats. Si un material dielèctric és sotmès a un voltatge suficientment elevat, llavors conduirà sobtadament a causa d'un fenomen anomenat trencament de la rigidesa dielèctrica. En materials dielèctrics convencionals, aquest trencament causa dany permanent al component. En un memristor, aquest trencament dielèctric és temporal i reversible. En un memristor, aquesta diferència de potencial causa que el medi adquireixi camins conductors anomenats filaments. Aquests filaments apareixen com a resultat de diversos fenòmens tals com migració de metall o defectes físics. Una vegada ha aparegut el filament, es pot trencar o revertir aplicant una diferència de potencial diferent. D'aquesta manera es pot emmagatzemar informació digital.[4]

PropietatsModifica

Es poden destacar:[5]

  • Molt baix consum, inferior a la memòria flaix i SRAM.
  • Molt alta velocitat, superior a la memòria flaix.
  • Alta densitat d'integració.

Circuits integrats ReRAMModifica

Llistat de les implementacions reals d'aquesta tecnologia:

Vegeu tambéModifica

  • SRAM : RAM estàtica.
  • DRAM : RAM dinàmica.
  • Flaix : memòria flaix.
  • E2PROM : memòria esborrable elèctricament.
  • Nano-RAM : memòria RAM amb nanotubs de carboni.
  • FeRAM : memòria ferro-elèctrica.
  • MRAM : memòria RAM magnetorresistiva

ReferènciesModifica