Semiconductors de banda estreta
són materials semiconductors amb un interval de banda que és comparativament petit en comparació amb el del silici.
Els semiconductors de banda estreta són materials semiconductors amb un interval de banda que és comparativament petit en comparació amb el del silici, és a dir, inferior a 1,11 eV a temperatura ambient. S'utilitzen com a detectors d'infrarojos o termoelèctrics.[1][2]
.svg)
Llista de semiconductors de banda estreta:
| Nom | Fórmula química | Grups | Banda prohibida (300 K) |
|---|---|---|---|
| Tel·lurur de cadmi mercuri | Hg1−xCdxTe | II-VI | 0 to 1.5 eV |
| Tel·lurur de zinc mercuri | Hg1−xZnxTe | II-VI | 0.15 to 2.25 eV |
| Selenur de plom | PbSe | IV-VI | 0.27 eV |
| Sulfur de plom(II) | PbS | IV-VI | 0.37 eV |
| Tel·lurur de plom | PbTe | IV-VI | 0.32 eV |
| Arseniur d'indi | InAs | III-V | 0.354 eV |
| Antimoniur d'indi | InSb | III-V | 0.17 eV |
| Antimoniur de gal·li | GaSb | III-V | 0.67 eV |
| Arseniur de cadmi | Cd₃As₂ | II-V | 0.5 to 0.6 eV |
| Tel·lurur de bismut | Bi₂Te₃ | 0.21 eV | |
| Tel·lurur d'estany | SnTe | IV-VI | 0.18 eV |
| Selenur d'estany | SnSe | IV-VI | 0.9 eV |
| Selenur d'argent(I) | Ag₂Se | 0.07 eV | |
| Silicat de magnesi | Mg₂Si | II-IV | 0.79 eV[3] |
Referències
modifica- ↑ Rogalski, Antoni; Razeghi, Manijeh «Narrow gap semiconductor photodiodes». Narrow gap semiconductor photodiodes. SPIE, 3287, 01-12-1998, pàg. 2–13. DOI: 10.1117/12.304467.
- ↑ «Narrow Band Gap Semiconductor - an overview | ScienceDirect Topics» (en anglès). https://www.sciencedirect.com.+[Consulta: 24 setembre 2022].
- ↑ Nelson, James T. «Chicago Section: 1. Electrical and optical properties of MgPSn and Mg₂Si». American Journal of Physics. American Association of Physics Teachers (AAPT), 23, 6, 1955, pàg. 390–390. DOI: 10.1119/1.1934018. ISSN: 0002-9505.