Antimonur de gal·li(III)
L'antimonur de gal·li(III) és un compost químic d'antimoni i gal·li de fórmula GaSb. És un sòlid de densitat 5,6 g/cm³ a temperatura ambient que fon a 712 oC. La seva estructura cristal·lina és la de la blenda de zinc o esfalerita. Té propietats semiconductores, amb una banda prohibida de 0,726 eV a 300 K, que correspon a l'energia d'un fotó de radiació infraroja de longitud d'ona 6,2 μm.
| Substància química | tipus d'entitat química  |
|---|---|
| Massa molecular | 189,829389 Da |
| Estructura química | |
| Fórmula química | GaSb |
| SMILES canònic | |
| Identificador InChI | Model 3D |
| Cristal·lografia | |
| Sistema cristal·lí | sistema cristal·lí cúbic |
| NFPA 704: Standard System for the Identification of the Hazards of Materials for Emergency Response () | |
Història modifica
L'antimonur de gal·li(III) fou sintetitzat per primer cop el 1926 per part del geoquímic noruec Victor Moritz Goldschmidt (1888-1947), que en determinà també la seva constant de cel·la.[1] D'altres investigadors milloraren aquest valor i en determinaren el diagrama de fases.[2]
Aplicacions modifica
Les aplicacions de l'antimonur de gal·li(III) es basen en les seves propietats com a semiconductor del tipus III-V, això és amb un element del grup III, el Ga, i un del grup V, el Sb. Així hom l'empra en els detectors de radiació infraroja, en LEDs infrarojos, en làsers i transistors i en sistemes termofotovoltàics.[2]
Referències modifica
- ↑ Goldschmidt, V.M. «Untersuchungen über Eigenschaften und den Bau von Kristallen». Skr. Akad. [Oslo], 8, 1926.
- ↑ 2,0 2,1 Dutta, P.S.; Bhat, H.L.; Kumar, V. «The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material». J. Appl. Phys., 81, 9, 01-05-1997, pàg. 5821-5870.[Enllaç no actiu]