Revisió del 21:22, 6 maig 2020 modifica Rebot (discussió \| contribucions) Bots 2.784.182 edits m neteja i estandardització de codi ← Edició anterior		Revisió del 15:33, 18 gen 2021 modifica desfés Langtoolbot (discussió \| contribucions) Bots 1.187.114 edits m bot: - neutre, pel que no + neutre, i per això no Edició següent →
Línia 22: Es diu així al material que té àtoms d'impureses que permeten la formació de buits sense que apareguin electrons associats a aquests, com passa en trencar un lligam. Els àtoms d'aquest tipus s'anomenen acceptors, ja que "accepten" o prenen un electró. Solen ser de [[València atòmica\|valència]] 03:00, com l'[[alumini]], l'[[indi (element)\|indi]] o el [[gal·li]]. Novament, l'àtom introduït és neutre, ~~pel~~i ~~que~~per això no modificarà la neutralitat elèctrica del cristall, però com que només té tres electrons a la seva última capa de [[València atòmica\|valència]], apareixerà una lligadura trencada, que tendirà a prendre electrons dels àtoms propers, generant finalment més buits que electrons, de manera que els primers seran els portadors majoritaris i els segons els minoritaris. Igual que al material tipus N, la quantitat de portadors majoritaris serà funció directa de la quantitat d'àtoms d'impureses introduïts. El següent és un exemple de dopatge de silici pel [[bor]] (P dopatge). En el cas del bor li falta un electró i, per tant, és donat un [[buit d'electró]].

Dopatge (semiconductors): diferència entre les revisions