130 nanòmetres (130 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 130 nm. És una millora de la tecnologia de 180 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 240 àtoms de llargada.[1][2]