180 nanòmetres

180 nanòmetres (180 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 180 nm. És una millora de la tecnologia de 250 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de $180\simeq {\frac {250}{\sqrt {2}}}$. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 331 àtoms de llargada.

Fig.1 Exemple de tecnologia de 180 nm : Intel Coppermine

Tecnologia	Any
10 um	1971
6 um	1974
3 um	1977
1,5 um	1982
1 um	1985
800 nm	1898
600 nm	1994
350 nm	1995
250 nm	1997
180 nm	1999
130 nm	2001
90 nm	2004
65 nm	2006
45 nm	2008
32 nm	2010
22 nm	2012
14 nm	2014
10 nm	2017
7 nm	2018
5 nm	2020

Tecnologia emprada

Aquesta tecnologia va ser la primera on la longitud de porta dels transistors (180 nm) era més curta que la llum utilitzada en la litografia (193 nm).

Tecnologia de litografia millorada.

Processadors

Fabricant	Data	CPU	Notes
Intel	1999	Coppermine
AMD	2000	Athlon Thunderbird
Intel	2002	Celeron
Motorola	2002	PowerPC 7445, 7455

Fabricant	Intel		Fujitsu		TSMC		Motorola		IBM		NEC		Samsung		TI		TI		AMD
Nom del procés	P858		CS-80				HiPerMOS 6		CMOS-8S3						C07a		GS30
Primera producció	1999		2000		2000		2000		1998		2000		2001				2000		1999
Capes de Metal	7		6		6		7		7						6		5
	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	220 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ	Value	250 nm Δ
Pas de contacte de porta	480 nm	0.96x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Pas de connexió	500 nm	0.82x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Cel·lula 1 bit de RAM	5.59 µm²	0.54x	4.18 µm²	?x	4.65 µm²	0.62x	? µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x

Vegeu també

• Circuit integrat
• Tecnologia litogràfica