5 nanòmetres (5 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 5 nm. És una millora de la tecnologia de 7 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 8 àtoms de llargada.

Fig.1 Exemple de tecnologia de 5 nm : No disponible encara
Tecnologia Any
10 um 1971
6 um 1974
3 um 1977
1,5 um 1982
1 um 1985
800 nm 1989
600 nm 1994
350 nm 1995
250 nm 1997
180 nm 1999
130 nm 2001
90 nm 2004
65 nm 2006
45 nm 2008
32 nm 2010
22 nm 2012
14 nm 2014
10 nm 2017
7 nm 2018
5 nm 2019
3 nm ~2021
2 nm ~2023

Història modifica

  • El 2015, IMEC i Cadence fabriquen circuits de test de 5 nm.
  • El 2015, Intel demostrs un transistor de nanocable de 5 nm.
  • El 2016, els laboratoris de Berkeley creen un transistor d'1 nm.

.

Tecnologia emprada modifica

Processadors modifica

Informació preliminar:[1]

Fabricant Intel Common Platform TSMC
Nom del procés P1278?
Primera producció  
Tipus FinFET
  Valor 7 nm Δ Valor 7 nm Δ Valor 7 nm Δ
Pas de Fin  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Amplada de Fin  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Alçada de Fin  ? nm  ?x  ? nm  ?x  ? nm  ?x
Pas de contacte de porta  ? nm  ?x  ? nm  ?x ~44 nm 0.81x
Pas de connexió  ? nm  ?x  ? nm  ?x ~32 nm 0.84x
Cel·lula 1 bit de RAM (HD)  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x
Cel·lula 1 bit de RAM (LP)  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x  ? µm²  ?x

Common Platform : IBM, Samsung, GlobalFoundries

Vegeu també modifica

Referències modifica

  1. «5 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 24 març 2017].